SI4386DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4386DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.47 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4386DY Datasheet (PDF)
si4386dy.pdf
Si4386DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Gen II Power MOSFETs 30 110.0095 at VGS = 4.5 V 13.5 PWM Optimized 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC Conversion for PCSO-8 DSD1
si4384dy.pdf
Si4384DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0085 at VGS = 10 V 15 TrenchFET Gen II Power MOSFETs300.0125 at VGS = 4.5 V 12 PWM Optimized 100 % Rg Tested APPLICATIONS High-Side DC/DC Conversion- NotebookSO-8- D
si4388dy.pdf
Si4388DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.016 at VGS = 10 V 10.7Channel-1 30 8 TrenchFET Power MOSFET0.024 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % Rg and UIS Tested0.015 at VGS = 10 V 11.3Channel-2 30 190.017 at VGS = 4.
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
