SI4448DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4448DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2775 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4448DY datasheet

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SI4448DY

Si4448DY Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0017 at VGS = 4.5 V 50 TrenchFET Power MOSFET 0.002 at VGS = 2.5 V 12 46 56 nC 100 % Rg Tested 0.0027 at VGS = 1.8 V 40 100 % UIS Tested APPLICATIONS POL DC/DC SO-8 D

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SI4448DY

Si4447DY Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.054 at VGS = - 10 V - 4.5 - 40 9 100 % Rg Tested 0.072 at VGS = - 4.5 V - 3.9 100 % UIS Tested APPLICATIONS CCFL Inverter SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G S

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SI4448DY

New Product Si4447ADY Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.045 at VGS = - 10 V - 7.2 TrenchFET Power MOSFET - 40 11.8 nC 0.062 at VGS = - 4.5 V - 6.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPL

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SI4448DY

Si4442DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0045 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 0.005 at VGS = 4.5 V 30 19 100 % Rg Tested 0.0075 at VGS = 2.5 V 17 D SO-8 S 1 8 D 2 7 S D G 3 6 S D G 4 5 D Top View S

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