Справочник MOSFET. SI4448DY

 

SI4448DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4448DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2775 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4448DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4448DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  vishay
si4448dy.pdfpdf_icon

SI4448DY

Si4448DYVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0017 at VGS = 4.5 V 50 TrenchFET Power MOSFET0.002 at VGS = 2.5 V 12 46 56 nC 100 % Rg Tested0.0027 at VGS = 1.8 V 40 100 % UIS TestedAPPLICATIONS POL DC/DCSO-8D

 9.1. Size:103K  vishay
si4447dy.pdfpdf_icon

SI4448DY

Si4447DYVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition TrenchFET Power MOSFET0.054 at VGS = - 10 V - 4.5- 40 9 100 % Rg Tested0.072 at VGS = - 4.5 V - 3.9 100 % UIS TestedAPPLICATIONS CCFL InverterSO-8S S1 8 DS D2 7G S

 9.2. Size:266K  vishay
si4447ady.pdfpdf_icon

SI4448DY

New ProductSi4447ADYVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.045 at VGS = - 10 V - 7.2 TrenchFET Power MOSFET- 40 11.8 nC0.062 at VGS = - 4.5 V - 6.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPL

 9.3. Size:221K  vishay
si4442dy.pdfpdf_icon

SI4448DY

Si4442DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0045 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated0.005 at VGS = 4.5 V 30 19 100 % Rg Tested 0.0075 at VGS = 2.5 V 17DSO-8 S 1 8 D 2 7 S D G3 6 S D G 4 5 D Top View S

Другие MOSFET... SI4431CDY , SI4434DY , SI4435DDY , SI4435DYPBF , SI4436DY , SI4438DY , SI4446DY , SI4447ADY , 5N65 , SI4451DY , SI4453DY , SI4455DY , SI4456DY , SI4459ADY , SI4462DY , SI4463CDY , SI4464DY .

History: HY1203S | HGP115N15S | BRCS020N06SRA | 2SK2089 | 2SK3539G0L | AP20N15AGH | SQM120N06-3M5L

 

 
Back to Top

 


 
.