SI4472DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4472DY 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Encapsulados: SO-8
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SI4472DY datasheet
si4472dy.pdf
Si4472DY Vishay Siliconix N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.045 at VGS = 10 V 7.7 Extremely Low Qgd for Switching Losses 150 23 nC 0.047 at VGS = 8 V 7.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATION
si4473dy.pdf
Si4473DY Vishay Siliconix P-Channel 14-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) APPLICATION 0.011 @ VGS = -4.5 V -13 -14 -14 D Battery Switch for Portable Equipment 0.016 @ VGS = -2.5 V -11 SO-8 S SD 1 8 S D 2 7 G SD 3 6 G D 4 5 Top View D Ordering Information Si4473DY Si4473DY-T1 (with Tape and Reel) P-Channel MO
si4470ey.pdf
Si4470EY Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.011 at VGS = 10 V 12.7 60 TrenchFET Power MOSFETs 0.013 at VGS = 6.0 V 11.7 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D SO
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History: DHSJ11N65
🌐 : EN ES РУ
Liste
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