Справочник MOSFET. SI4472DY

 

SI4472DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4472DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4472DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  vishay
si4472dy.pdfpdf_icon

SI4472DY

Si4472DYVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.045 at VGS = 10 V 7.7 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.047 at VGS = 8 V 7.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION

 9.1. Size:91K  vishay
si4473dy.pdfpdf_icon

SI4472DY

Si4473DYVishay SiliconixP-Channel 14-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)APPLICATION0.011 @ VGS = -4.5 V-13-14-14D Battery Switch for Portable Equipment0.016 @ VGS = -2.5 V -11SO-8SSD1 8S D2 7GSD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4473DYSi4473DY-T1 (with Tape and Reel)P-Channel MO

 9.2. Size:224K  vishay
si4470ey.pdfpdf_icon

SI4472DY

Si4470EYVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.011 at VGS = 10 V 12.760 TrenchFET Power MOSFETs0.013 at VGS = 6.0 V 11.7 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDSO

 9.3. Size:256K  vishay
si4477dy.pdfpdf_icon

SI4472DY

Si4477DYVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.0062 at VGS = - 4.5 V - 26.6 TrenchFET Power MOSFET- 20 59 nC 100 % Rg Tested0.0105 at VGS = - 2.5 V - 20.6 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SI4178DY | SI4430BDY | R6524KNX | IRC330 | SI4483ADY | SI4403DDY | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.