SI4472DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4472DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4472DY Datasheet (PDF)
si4472dy.pdf
Si4472DYVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.045 at VGS = 10 V 7.7 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.047 at VGS = 8 V 7.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION
si4473dy.pdf
Si4473DYVishay SiliconixP-Channel 14-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)APPLICATION0.011 @ VGS = -4.5 V-13-14-14D Battery Switch for Portable Equipment0.016 @ VGS = -2.5 V -11SO-8SSD1 8S D2 7GSD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4473DYSi4473DY-T1 (with Tape and Reel)P-Channel MO
si4470ey.pdf
Si4470EYVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.011 at VGS = 10 V 12.760 TrenchFET Power MOSFETs0.013 at VGS = 6.0 V 11.7 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDSO
si4477dy.pdf
Si4477DYVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.0062 at VGS = - 4.5 V - 26.6 TrenchFET Power MOSFET- 20 59 nC 100 % Rg Tested0.0105 at VGS = - 2.5 V - 20.6 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS
si4477dy.pdf
SI4477DYwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: MEM610 | ME80N75T-G
History: MEM610 | ME80N75T-G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918