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SI4500BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4500BDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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SI4500BDY Datasheet (PDF)

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SI4500BDY

Si4500BDY Vishay Siliconix Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.020 at VGS = 4.5 V 9.1 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 20 0.030 at VGS = 2.5 V 7.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.3 P-Channel - 20 0.100 a

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Si4500DY New Product Vishay Siliconix Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.030 @ VGS = 4.5 V "7.0 N-Channel 20 N-Channel 20 0.040 @ VGS = 2.5 V "6.0 0.065 @ VGS = 4.5 V "4.5 P-Channel 20 P-Channel 20 0.100 @ VGS = 2.5 V "3.5 S2 SO-8 G2 S1 1 D 8 G1 2 D 7 D S2 3 D 6 G2 4 D 5 G1 Top View S1 ABSOLUT

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SI4500BDY

Si4501BDY Vishay Siliconix Complementary (N- and P-Channel) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.017 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 7.9 0.020 at VGS = 4.5 V 11 100 % Rg and UIS Tested 0.027 at VGS = - 4.5 V - 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95

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Si4501ADY Vishay Siliconix Complementary (N- and P-Channel) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.018 at VGS = 10 V 8.8 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 0.027 at VGS = 4.5 V 7.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.042 at VGS = - 4.5 V - 5.7 P-Channel - 8 0.060 at VGS = - 2.5

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