SI4500BDY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4500BDY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4500BDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4500BDY даташит

 ..1. Size:275K  vishay
 si4500bdy.pdf pdf_icon

SI4500BDY

Si4500BDY Vishay Siliconix Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.020 at VGS = 4.5 V 9.1 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 20 0.030 at VGS = 2.5 V 7.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.3 P-Channel - 20 0.100 a

 8.1. Size:116K  vishay
 si4500dy.pdf pdf_icon

SI4500BDY

Si4500DY New Product Vishay Siliconix Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.030 @ VGS = 4.5 V "7.0 N-Channel 20 N-Channel 20 0.040 @ VGS = 2.5 V "6.0 0.065 @ VGS = 4.5 V "4.5 P-Channel 20 P-Channel 20 0.100 @ VGS = 2.5 V "3.5 S2 SO-8 G2 S1 1 D 8 G1 2 D 7 D S2 3 D 6 G2 4 D 5 G1 Top View S1 ABSOLUT

 9.1. Size:273K  vishay
 si4501bdy.pdf pdf_icon

SI4500BDY

Si4501BDY Vishay Siliconix Complementary (N- and P-Channel) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.017 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 7.9 0.020 at VGS = 4.5 V 11 100 % Rg and UIS Tested 0.027 at VGS = - 4.5 V - 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95

 9.2. Size:271K  vishay
 si4501ad.pdf pdf_icon

SI4500BDY

Si4501ADY Vishay Siliconix Complementary (N- and P-Channel) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.018 at VGS = 10 V 8.8 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 0.027 at VGS = 4.5 V 7.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.042 at VGS = - 4.5 V - 5.7 P-Channel - 8 0.060 at VGS = - 2.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4484EY, SI4485DY, SI4486EY, SI4487DY, SI4488DY, SI4491EDY, SI4493DY, SI4497DY, IRF9640, SI4501BDY, SI4511DY, SI4532CDY, SI4554DY, SI4559ADY, SI4564DY, SI4590DY, SI4599DY