SI4501BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4501BDY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4501BDY
SI4501BDY Datasheet (PDF)
si4501bdy.pdf
Si4501BDY Vishay Siliconix Complementary (N- and P-Channel) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.017 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 7.9 0.020 at VGS = 4.5 V 11 100 % Rg and UIS Tested 0.027 at VGS = - 4.5 V - 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95
si4501ad.pdf
Si4501ADY Vishay Siliconix Complementary (N- and P-Channel) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.018 at VGS = 10 V 8.8 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 0.027 at VGS = 4.5 V 7.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.042 at VGS = - 4.5 V - 5.7 P-Channel - 8 0.060 at VGS = - 2.5
si4501dy.pdf
Si4501DY Vishay Siliconix Complementary MOSFET (N- and P-Channel) FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 0.018 at VGS = 10 V 9 N-Channel 30 0.027 at VGS = 4.5 V 7.4 0.042 at VGS = - 4.5 V 6.2 P-Channel - 8 0.060 at VGS = - 2.5 V 5.2 S2 SO-8 S D 1 1 8 G 1 2 D 7 G2 S D 2 3 6 G 2 4 D 5 D
si4505dy.pdf
Si4505DY Vishay Siliconix N- and P-Channel MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.018 at VGS = 10 V 7.8 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 0.027 at VGS = 4.5 V 6.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.042 at VGS = - 4.5 V - 5.0 P-Channel - 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 4.0 APPLICAT
Otros transistores... SI4485DY , SI4486EY , SI4487DY , SI4488DY , SI4491EDY , SI4493DY , SI4497DY , SI4500BDY , IRFB7545 , SI4511DY , SI4532CDY , SI4554DY , SI4559ADY , SI4564DY , SI4590DY , SI4599DY , SI4618DY .
History: IXFN34N100 | IXFN320N17T2
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Liste
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