SI4501BDY - аналоги и даташиты транзистора

 

SI4501BDY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4501BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4501BDY

 

SI4501BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  vishay
si4501bdy.pdfpdf_icon

SI4501BDY

Si4501BDY Vishay Siliconix Complementary (N- and P-Channel) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.017 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 7.9 0.020 at VGS = 4.5 V 11 100 % Rg and UIS Tested 0.027 at VGS = - 4.5 V - 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95

 8.1. Size:271K  vishay
si4501ad.pdfpdf_icon

SI4501BDY

Si4501ADY Vishay Siliconix Complementary (N- and P-Channel) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.018 at VGS = 10 V 8.8 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 0.027 at VGS = 4.5 V 7.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.042 at VGS = - 4.5 V - 5.7 P-Channel - 8 0.060 at VGS = - 2.5

 8.2. Size:127K  vishay
si4501dy.pdfpdf_icon

SI4501BDY

Si4501DY Vishay Siliconix Complementary MOSFET (N- and P-Channel) FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 0.018 at VGS = 10 V 9 N-Channel 30 0.027 at VGS = 4.5 V 7.4 0.042 at VGS = - 4.5 V 6.2 P-Channel - 8 0.060 at VGS = - 2.5 V 5.2 S2 SO-8 S D 1 1 8 G 1 2 D 7 G2 S D 2 3 6 G 2 4 D 5 D

 9.1. Size:271K  vishay
si4505dy.pdfpdf_icon

SI4501BDY

Si4505DY Vishay Siliconix N- and P-Channel MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.018 at VGS = 10 V 7.8 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 0.027 at VGS = 4.5 V 6.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.042 at VGS = - 4.5 V - 5.0 P-Channel - 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 4.0 APPLICAT

Другие MOSFET... SI4485DY , SI4486EY , SI4487DY , SI4488DY , SI4491EDY , SI4493DY , SI4497DY , SI4500BDY , IRFB7545 , SI4511DY , SI4532CDY , SI4554DY , SI4559ADY , SI4564DY , SI4590DY , SI4599DY , SI4618DY .

 

 
Back to Top

 


 
.