SI4511DY Todos los transistores

 

SI4511DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4511DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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SI4511DY Datasheet (PDF)

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SI4511DY

Si4511DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0145 at VGS = 10 V 9.6 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 20 0.017 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 8.6 0.033 at VGS = - 4.5 V - 6.2 P-Channel - 20 APPLICATIONS 0.050 at VGS =

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