SI4511DY Todos los transistores

 

SI4511DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4511DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4511DY Datasheet (PDF)

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SI4511DY

Si4511DYVishay SiliconixN- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0145 at VGS = 10 V 9.6 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.017 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS directive 2002/95/EC8.60.033 at VGS = - 4.5 V - 6.2P-Channel - 20 APPLICATIONS0.050 at VGS =

Otros transistores... SI4486EY , SI4487DY , SI4488DY , SI4491EDY , SI4493DY , SI4497DY , SI4500BDY , SI4501BDY , EMB04N03H , SI4532CDY , SI4554DY , SI4559ADY , SI4564DY , SI4590DY , SI4599DY , SI4618DY , SI4620DY .

History: GP2M002A060XG | SI7682DP

 

 
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