SI4511DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4511DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4511DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4511DY даташит

 ..1. Size:278K  vishay
 si4511dy.pdf pdf_icon

SI4511DY

Si4511DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0145 at VGS = 10 V 9.6 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 20 0.017 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 8.6 0.033 at VGS = - 4.5 V - 6.2 P-Channel - 20 APPLICATIONS 0.050 at VGS =

Другие IGBT... SI4486EY, SI4487DY, SI4488DY, SI4491EDY, SI4493DY, SI4497DY, SI4500BDY, SI4501BDY, AON7403, SI4532CDY, SI4554DY, SI4559ADY, SI4564DY, SI4590DY, SI4599DY, SI4618DY, SI4620DY