Справочник MOSFET. SI4511DY

 

SI4511DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4511DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4511DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4511DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  vishay
 si4511dy.pdf pdf_icon

SI4511DY

Si4511DYVishay SiliconixN- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0145 at VGS = 10 V 9.6 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.017 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS directive 2002/95/EC8.60.033 at VGS = - 4.5 V - 6.2P-Channel - 20 APPLICATIONS0.050 at VGS =

Другие MOSFET... SI4486EY , SI4487DY , SI4488DY , SI4491EDY , SI4493DY , SI4497DY , SI4500BDY , SI4501BDY , EMB04N03H , SI4532CDY , SI4554DY , SI4559ADY , SI4564DY , SI4590DY , SI4599DY , SI4618DY , SI4620DY .

History: SPA04N50C3 | QM3002M3 | IXTP15N50L2 | BLP05N15-P | 2SK3296-ZJ | 2SK3674-01S | ST18N10D

 

 
Back to Top

 


 
.