Справочник MOSFET. SI4511DY

 

SI4511DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4511DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4511DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  vishay
 si4511dy.pdf pdf_icon

SI4511DY

Si4511DYVishay SiliconixN- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0145 at VGS = 10 V 9.6 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.017 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS directive 2002/95/EC8.60.033 at VGS = - 4.5 V - 6.2P-Channel - 20 APPLICATIONS0.050 at VGS =

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI4368DY | SI4448DY

 

 
Back to Top

 


 
.