SI4564DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4564DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4564DY datasheet

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SI4564DY

Si4564DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0175 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 40 9.8 0.020 at VGS = 4.5 V 9.2 100 % Rg and UIS Tested 0.021 at VGS = - 10 V - 9.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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SI4564DY

Si4563DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.016 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 40 56 0.019 at VGS = 4.5 V 8 100 % Rg Tested 0.025 at VGS = - 10 V - 8 P-Channel - 40 6 APPLICATIONS 0.032 at VGS = - 4.5 V - 7.

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SI4564DY

Si4562DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET 2.5 Rated N-Channel 20 0.035 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 6.0 0.033 at VGS = - 4.5 V - 6.2 P-Channel - 20 0.050 at VGS = -

 9.3. Size:269K  vishay
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SI4564DY

Si4569DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.027 at VGS = 10 V 6.0 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 40 9.6 0.032 at VGS = 4.5 V 4.8 100 % Rg and UIS Tested 0.029 at VGS = - 10 V - 6.0 APPLICATIONS P-Channel - 40 21 0.039 at

Otros transistores... SI4493DY, SI4497DY, SI4500BDY, SI4501BDY, SI4511DY, SI4532CDY, SI4554DY, SI4559ADY, MMIS60R580P, SI4590DY, SI4599DY, SI4618DY, SI4620DY, SI4622DY, SI4626ADY, SI4628DY, SI4630DY