Справочник MOSFET. SI4564DY

 

SI4564DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4564DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4564DY

 

 

SI4564DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  vishay
 si4564dy.pdf

SI4564DY SI4564DY

Si4564DYVishay SiliconixN- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0175 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 40 9.80.020 at VGS = 4.5 V 9.2 100 % Rg and UIS Tested0.021 at VGS = - 10 V - 9.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

 9.1. Size:268K  vishay
 si4563dy.pdf

SI4564DY SI4564DY

Si4563DYVishay SiliconixN- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.016 at VGS = 10 V8 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 40 560.019 at VGS = 4.5 V8 100 % Rg Tested0.025 at VGS = - 10 V - 8P-Channel - 40 6APPLICATIONS0.032 at VGS = - 4.5 V - 7.

 9.2. Size:264K  vishay
 si4562dy.pdf

SI4564DY SI4564DY

Si4562DYVishay SiliconixN- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET: 2.5 RatedN-Channel 200.035 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS directive 2002/95/EC6.00.033 at VGS = - 4.5 V - 6.2P-Channel - 200.050 at VGS = -

 9.3. Size:269K  vishay
 si4569dy.pdf

SI4564DY SI4564DY

Si4569DYVishay SiliconixN- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.027 at VGS = 10 V 6.0 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 40 9.60.032 at VGS = 4.5 V 4.8 100 % Rg and UIS Tested0.029 at VGS = - 10 V - 6.0APPLICATIONSP-Channel - 40 210.039 at

 9.4. Size:275K  vishay
 si4561dy.pdf

SI4564DY SI4564DY

Si4561DYVishay SiliconixN- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS Qg RDS(on) ()ID (A)aAvailable(V) (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0355 at VGS = 10 V 6.8N-Channel 40 5.30.0425 at VGS = 4.5 V 6.2APPLICATIONS0.035 at VGS = - 10 V - 7.2P-Channel - 40 17 Backlight Inverter for LCD Disp

 9.5. Size:283K  vishay
 si4565ady.pdf

SI4564DY SI4564DY

Si4565ADYVishay SiliconixN- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.039 at VGS = 10 V 6.6 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 40 6.6 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = 4.5 V 5.80.054 at VGS = - 10 V - 4.5APPLICATIONSP-Channel - 40 90.072 at VGS

 9.6. Size:269K  vishay
 si4567dy.pdf

SI4564DY SI4564DY

Si4567DYVishay SiliconixN- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Qg (Typ.)AvailableVDS (V) RDS(on) () ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.060 at VGS = 10 V 5.0 100 % Rg TestedN-Channel 40 5.60.070 at VGS = 4.5 V 4.70.085 at VGS = - 10 V - 4.4APPLICATIONSN-Channel - 40 60.122 at VGS = - 4.5 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: LNE06R110

 

 
Back to Top