SI4564DY datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI4564DY 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI4564DY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI4564DY даташит
si4564dy.pdf
Si4564DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0175 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 40 9.8 0.020 at VGS = 4.5 V 9.2 100 % Rg and UIS Tested 0.021 at VGS = - 10 V - 9.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
si4563dy.pdf
Si4563DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.016 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 40 56 0.019 at VGS = 4.5 V 8 100 % Rg Tested 0.025 at VGS = - 10 V - 8 P-Channel - 40 6 APPLICATIONS 0.032 at VGS = - 4.5 V - 7.
si4562dy.pdf
Si4562DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET 2.5 Rated N-Channel 20 0.035 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 6.0 0.033 at VGS = - 4.5 V - 6.2 P-Channel - 20 0.050 at VGS = -
si4569dy.pdf
Si4569DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.027 at VGS = 10 V 6.0 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 40 9.6 0.032 at VGS = 4.5 V 4.8 100 % Rg and UIS Tested 0.029 at VGS = - 10 V - 6.0 APPLICATIONS P-Channel - 40 21 0.039 at
Другие IGBT... SI4493DY, SI4497DY, SI4500BDY, SI4501BDY, SI4511DY, SI4532CDY, SI4554DY, SI4559ADY, MMIS60R580P, SI4590DY, SI4599DY, SI4618DY, SI4620DY, SI4622DY, SI4626ADY, SI4628DY, SI4630DY
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor







