SI4618DY Todos los transistores

 

SI4618DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4618DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SI4618DY MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI4618DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  vishay
 si4618dy.pdf pdf_icon

SI4618DY

Si4618DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.017 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETChannel-1 30 12.50.0195 at VGS = 4.5 V 7.5 100 % Rg and UIS Tested0.010 at VGS = 10 V 15.2 Compliant to RoHS Directi

 9.1. Size:3951K  cn szxunrui
 si4614.pdf pdf_icon

SI4618DY

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI4614N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The SI4614 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. N-channel P-channelGeneral Features N-Channel Schematic diagr

Otros transistores... SI4501BDY , SI4511DY , SI4532CDY , SI4554DY , SI4559ADY , SI4564DY , SI4590DY , SI4599DY , AO4468 , SI4620DY , SI4622DY , SI4626ADY , SI4628DY , SI4630DY , SI4632DY , SI4636DY , SI4638DY .

History: UF830KG-TA3-T | APM4532 | FQP16N15

 

 
Back to Top

 


 
.