SI4618DY - аналоги и даташиты транзистора

 

SI4618DY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4618DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4618DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4618DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  vishay
 si4618dy.pdf pdf_icon

SI4618DY

Si4618DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.017 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETChannel-1 30 12.50.0195 at VGS = 4.5 V 7.5 100 % Rg and UIS Tested0.010 at VGS = 10 V 15.2 Compliant to RoHS Directi

 9.1. Size:3951K  cn szxunrui
 si4614.pdf pdf_icon

SI4618DY

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI4614N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The SI4614 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. N-channel P-channelGeneral Features N-Channel Schematic diagr

Другие MOSFET... SI4501BDY , SI4511DY , SI4532CDY , SI4554DY , SI4559ADY , SI4564DY , SI4590DY , SI4599DY , IRFB7545 , SI4620DY , SI4622DY , SI4626ADY , SI4628DY , SI4630DY , SI4632DY , SI4636DY , SI4638DY .

History: STC6301D

 

 
Back to Top

 


 
.