SI4618DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4618DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4618DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4618DY даташит

 ..1. Size:272K  vishay
 si4618dy.pdf pdf_icon

SI4618DY

Si4618DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.017 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFET Channel-1 30 12.5 0.0195 at VGS = 4.5 V 7.5 100 % Rg and UIS Tested 0.010 at VGS = 10 V 15.2 Compliant to RoHS Directi

 9.1. Size:3951K  cn szxunrui
 si4614.pdf pdf_icon

SI4618DY

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI4614 N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The SI4614 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. N-channel P-channel General Features N-Channel Schematic diagr

Другие IGBT... SI4501BDY, SI4511DY, SI4532CDY, SI4554DY, SI4559ADY, SI4564DY, SI4590DY, SI4599DY, 60N06, SI4620DY, SI4622DY, SI4626ADY, SI4628DY, SI4630DY, SI4632DY, SI4636DY, SI4638DY