SI4628DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4628DY 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Encapsulados: SO-8
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SI4628DY datasheet
si4628dy.pdf
Si4628DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0030 at VGS = 10 V 38 SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 30 27.5 nC 0.0038 at VGS = 4.5 V 33 Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS
si4626ady.pdf
New Product Si4626ADY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0033 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 30 37 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0041 at VGS = 4.5 V 26.3 APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion - Notebook - Gaming SO-
si4626ad.pdf
New Product Si4626ADY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0033 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 30 37 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0041 at VGS = 4.5 V 26.3 APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion - Notebook - Gaming SO-
si4622dy.pdf
New Product Si4622DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0160 at VGS = 10 V 8.0e Channel-1 30 19 SkyFET Monolithic TrenchFET 0.0186 at VGS = 4.5 V 8.0e Power MOSFET and Schottky Diode 0.0264 at VGS = 10 V 8.0e
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