SI4630DY Todos los transistores

 

SI4630DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4630DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 122 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 997 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4630DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  vishay
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SI4630DY

Si4630DYVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ)Available0.0027 at VGS = 10 V 36 TrenchFET Power MOSFET25 49 nC 100 % Rg Tested0.0032 at VGS = 4.5 V 29APPLICATIONS Synchronous Buck - Low Side- Notebook- Server- Workstation Synchrono

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SI4630DY

Si4636DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0085 at VGS = 10 V 1730 18.8 nC TrenchFET Power MOSFET0.0105 at VGS = 4.5 V 15.6 100 % Rg and UIS TestedSCHOTTKY AND BODY DIODE PRODUCT APPLICATIONSSUMMARY Noteboo

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SI4630DY

Si4632DYVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0027 at VGS = 10 V 36 Low Qgd 25 49 nC0.0033 at VGS = 4.5 V 29 100 % Rg Tested UIS and Capacitance Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Buck -

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SI4630DY

New ProductSi4638DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0065 at VGS = 10 V 22.430 27.5 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.008 at VGS = 4.5 V 20.2MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested

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History: 2SK2445 | GP1T080A120B

 

 
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