SI4630DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4630DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
trⓘ - Время нарастания: 122 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 997 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4630DY Datasheet (PDF)
si4630dy.pdf
Si4630DYVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ)Available0.0027 at VGS = 10 V 36 TrenchFET Power MOSFET25 49 nC 100 % Rg Tested0.0032 at VGS = 4.5 V 29APPLICATIONS Synchronous Buck - Low Side- Notebook- Server- Workstation Synchrono
si4636dy.pdf
Si4636DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0085 at VGS = 10 V 1730 18.8 nC TrenchFET Power MOSFET0.0105 at VGS = 4.5 V 15.6 100 % Rg and UIS TestedSCHOTTKY AND BODY DIODE PRODUCT APPLICATIONSSUMMARY Noteboo
si4632dy.pdf
Si4632DYVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0027 at VGS = 10 V 36 Low Qgd 25 49 nC0.0033 at VGS = 4.5 V 29 100 % Rg Tested UIS and Capacitance Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Buck -
si4638dy.pdf
New ProductSi4638DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0065 at VGS = 10 V 22.430 27.5 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.008 at VGS = 4.5 V 20.2MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested
si4634dy.pdf
Si4634DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0052 at VGS = 10 V 24.5 TrenchFET Power MOSFET30 21.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0067 at VGS = 4.5 V 21.7APPLICATIONS Buck Converter Synchronous RectifierSO-8- Secondary R
si4634dy.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI4634DY (KI4634DY)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 24.5 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 52m (VGS = 10V) RDS(ON) 67m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918