SI4642DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4642DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00375 Ohm

Encapsulados: SO-8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SI4642DY MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI4642DY datasheet

 ..1. Size:237K  vishay
 si4642dy.pdf pdf_icon

SI4642DY

Si4642DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.00375 at VGS = 10 V 34 30 35.7 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0047 at VGS = 4.5 V 30 MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested APPLICATIONS Notebook CP

 9.1. Size:273K  vishay
 si4646dy.pdf pdf_icon

SI4642DY

New Product Si4646DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0115 at VGS = 10 V 12e SkyFET Monolithic TrenchFET Power 30 13.7 nC 0.0145 at VGS = 4.5 V 12e MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Compl

Otros transistores... SI4620DY, SI4622DY, SI4626ADY, SI4628DY, SI4630DY, SI4632DY, SI4636DY, SI4638DY, IRF540N, SI4646DY, SI4654DY, SI4660DY, SI4666DY, SI4668DY, SI4670DY, SI4682DY, SI4684DY