SI4642DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4642DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00375 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4642DY

SI4642DY Datasheet (PDF)

..1. Size:237K vishay
si4642dy.pdf

Si4642DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.00375 at VGS = 10 V 3430 35.7 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0047 at VGS = 4.5 V 30MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CP

9.1. Size:273K vishay
si4646dy.pdf

New ProductSi4646DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0115 at VGS = 10 V 12e SkyFET Monolithic TrenchFET Power 30 13.7 nC0.0145 at VGS = 4.5 V 12e MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Compl

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Liste

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