Справочник MOSFET. SI4642DY

 

SI4642DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4642DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00375 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4642DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4642DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  vishay
 si4642dy.pdf pdf_icon

SI4642DY

Si4642DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.00375 at VGS = 10 V 3430 35.7 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0047 at VGS = 4.5 V 30MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CP

 9.1. Size:273K  vishay
 si4646dy.pdf pdf_icon

SI4642DY

New ProductSi4646DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0115 at VGS = 10 V 12e SkyFET Monolithic TrenchFET Power 30 13.7 nC0.0145 at VGS = 4.5 V 12e MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Compl

Другие MOSFET... SI4620DY , SI4622DY , SI4626ADY , SI4628DY , SI4630DY , SI4632DY , SI4636DY , SI4638DY , IRF540 , SI4646DY , SI4654DY , SI4660DY , SI4666DY , SI4668DY , SI4670DY , SI4682DY , SI4684DY .

History: HGP028NE6A | SVF3N80F | IXFK80N65X2 | CJP05N60 | HGA190N15S | CJU20N06 | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.