Справочник MOSFET. SI4642DY

 

SI4642DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4642DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00375 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4642DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  vishay
 si4642dy.pdf pdf_icon

SI4642DY

Si4642DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.00375 at VGS = 10 V 3430 35.7 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0047 at VGS = 4.5 V 30MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CP

 9.1. Size:273K  vishay
 si4646dy.pdf pdf_icon

SI4642DY

New ProductSi4646DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0115 at VGS = 10 V 12e SkyFET Monolithic TrenchFET Power 30 13.7 nC0.0145 at VGS = 4.5 V 12e MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Compl

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI4408DY | SI4462DY | SI4453DY | SI4386DY

 

 
Back to Top

 


 
.