SI4642DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4642DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00375 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4642DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4642DY даташит

 ..1. Size:237K  vishay
 si4642dy.pdf pdf_icon

SI4642DY

Si4642DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.00375 at VGS = 10 V 34 30 35.7 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0047 at VGS = 4.5 V 30 MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested APPLICATIONS Notebook CP

 9.1. Size:273K  vishay
 si4646dy.pdf pdf_icon

SI4642DY

New Product Si4646DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0115 at VGS = 10 V 12e SkyFET Monolithic TrenchFET Power 30 13.7 nC 0.0145 at VGS = 4.5 V 12e MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Compl

Другие IGBT... SI4620DY, SI4622DY, SI4626ADY, SI4628DY, SI4630DY, SI4632DY, SI4636DY, SI4638DY, IRF540N, SI4646DY, SI4654DY, SI4660DY, SI4666DY, SI4668DY, SI4670DY, SI4682DY, SI4684DY