SI4670DY Todos los transistores

 

SI4670DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4670DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI4670DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  vishay
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SI4670DY

Si4670DYVishay SiliconixDual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.023 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETChannel-1 25 5.50.028 at VGS = 4.5 V 8.0 PWM Optimized0.023 at VGS = 10 V 8.0Channel-2 25 5.5 Compliant to Ro

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History: AM60P04-10D | AOB418 | AOW20S60 | AS3416E | UK4145 | WVM13N50 | 2SJ665

 

 
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