Справочник MOSFET. SI4670DY

 

SI4670DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4670DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4670DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4670DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  vishay
 si4670dy.pdf pdf_icon

SI4670DY

Si4670DYVishay SiliconixDual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.023 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFETChannel-1 25 5.50.028 at VGS = 4.5 V 8.0 PWM Optimized0.023 at VGS = 10 V 8.0Channel-2 25 5.5 Compliant to Ro

Другие MOSFET... SI4636DY , SI4638DY , SI4642DY , SI4646DY , SI4654DY , SI4660DY , SI4666DY , SI4668DY , IRF1404 , SI4682DY , SI4684DY , SI4686DY , SI4688DY , SI4712DY , SI4752DY , SI4774DY , SI4776DY .

History: CJ3139KDW | APM4012NU | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | F5043

 

 
Back to Top

 


 
.