SI4670DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4670DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4670DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4670DY даташит

 ..1. Size:273K  vishay
 si4670dy.pdf pdf_icon

SI4670DY

Si4670DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.023 at VGS = 10 V 8.0 TrenchFET Power MOSFET Channel-1 25 5.5 0.028 at VGS = 4.5 V 8.0 PWM Optimized 0.023 at VGS = 10 V 8.0 Channel-2 25 5.5 Compliant to Ro

Другие IGBT... SI4636DY, SI4638DY, SI4642DY, SI4646DY, SI4654DY, SI4660DY, SI4666DY, SI4668DY, IRF1404, SI4682DY, SI4684DY, SI4686DY, SI4688DY, SI4712DY, SI4752DY, SI4774DY, SI4776DY