SI4684DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4684DY 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm
Encapsulados: SO-8
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SI4684DY MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI4684DY datasheet
si4684dy.pdf
Si4684DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0094 at VGS = 10 V Extremely Low Qgd WFET Technology 16 30 14 nC for Low Switching Losses 0.0115 at VGS = 4.5 V 14 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Direc
si4682dy.pdf
Si4682DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0094 at VGS = 10 V 16 30 11 nC Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 0.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLI
si4688dy.pdf
New Product Si4688DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.011 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET 30 0.0145 at VGS = 4.5 V 9.8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook PC - Core D - System Power SO-8 S D 1 8 S
si4686dy.pdf
Si4686DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0095 at VGS = 10 V 18.2 Extremely Low Qgd WFET Technology 30 9.2 nC 0.014 at VGS = 4.5 V 15 for Low Switching Losses TrenchFET Power MOSFETs 100 % Rg Tested SO-8 APPLICATIONS D
Otros transistores... SI4642DY, SI4646DY, SI4654DY, SI4660DY, SI4666DY, SI4668DY, SI4670DY, SI4682DY, IRFB4110, SI4686DY, SI4688DY, SI4712DY, SI4752DY, SI4774DY, SI4776DY, SI4778DY, SI4800
History: SVS80R280SE3TR
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773
