SI4684DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4684DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4684DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4684DY даташит

 ..1. Size:94K  vishay
 si4684dy.pdf pdf_icon

SI4684DY

Si4684DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0094 at VGS = 10 V Extremely Low Qgd WFET Technology 16 30 14 nC for Low Switching Losses 0.0115 at VGS = 4.5 V 14 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Direc

 9.1. Size:246K  vishay
 si4682dy.pdf pdf_icon

SI4684DY

Si4682DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0094 at VGS = 10 V 16 30 11 nC Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 0.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLI

 9.2. Size:243K  vishay
 si4688dy.pdf pdf_icon

SI4684DY

New Product Si4688DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.011 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Power MOSFET 30 0.0145 at VGS = 4.5 V 9.8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook PC - Core D - System Power SO-8 S D 1 8 S

 9.3. Size:235K  vishay
 si4686dy.pdf pdf_icon

SI4684DY

Si4686DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0095 at VGS = 10 V 18.2 Extremely Low Qgd WFET Technology 30 9.2 nC 0.014 at VGS = 4.5 V 15 for Low Switching Losses TrenchFET Power MOSFETs 100 % Rg Tested SO-8 APPLICATIONS D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4642DY, SI4646DY, SI4654DY, SI4660DY, SI4666DY, SI4668DY, SI4670DY, SI4682DY, IRFB4110, SI4686DY, SI4688DY, SI4712DY, SI4752DY, SI4774DY, SI4776DY, SI4778DY, SI4800