SI4712DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4712DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4712DY datasheet

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SI4712DY

New Product Si4712DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.013 at VGS = 10 V 14.6 30 8.3 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0165 at VGS = 4.5 V 12.9 MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested

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SI4712DY

Si4710CY New Product Vishay Siliconix Battery Disconnect Switch FEATURES D Solution for Bi-Directional Blocking D Level-Shifted Gate Drive with Internal MOSFET Bi-Directional Conduction Switch D Ultra Low Power Consumption in Off State D 6- to 30-V Operation (Leakage Current Only) D Ground Referenced Logic Level Inputs D Logic Supply Voltage is Not Required D Integrated Low rDS(on) MO

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