SI4712DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4712DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4712DY
SI4712DY Datasheet (PDF)
si4712dy.pdf
New ProductSi4712DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.013 at VGS = 10 V 14.630 8.3 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0165 at VGS = 4.5 V 12.9MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested
si4710cy.pdf
Si4710CYNew ProductVishay SiliconixBattery Disconnect SwitchFEATURESD Solution for Bi-Directional Blocking D Level-Shifted Gate Drive with Internal MOSFETBi-Directional Conduction SwitchD Ultra Low Power Consumption in Off StateD 6- to 30-V Operation (Leakage Current Only)D Ground Referenced Logic Level Inputs D Logic Supply Voltage is Not RequiredD Integrated Low rDS(on) MO
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SI3443DDV
History: SI3443DDV
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918