SI4712DY Todos los transistores

 

SI4712DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4712DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4712DY

 

SI4712DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  vishay
 si4712dy.pdf pdf_icon

SI4712DY

New Product Si4712DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.013 at VGS = 10 V 14.6 30 8.3 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0165 at VGS = 4.5 V 12.9 MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested

 9.1. Size:81K  vishay
 si4710cy.pdf pdf_icon

SI4712DY

Si4710CY New Product Vishay Siliconix Battery Disconnect Switch FEATURES D Solution for Bi-Directional Blocking D Level-Shifted Gate Drive with Internal MOSFET Bi-Directional Conduction Switch D Ultra Low Power Consumption in Off State D 6- to 30-V Operation (Leakage Current Only) D Ground Referenced Logic Level Inputs D Logic Supply Voltage is Not Required D Integrated Low rDS(on) MO

Otros transistores... SI4660DY , SI4666DY , SI4668DY , SI4670DY , SI4682DY , SI4684DY , SI4686DY , SI4688DY , AO3400 , SI4752DY , SI4774DY , SI4776DY , SI4778DY , SI4800 , SI4800BDY , SI4810BDY , SI4812BDY .

 

 
Back to Top

 


 
.