Справочник MOSFET. SI4712DY

 

SI4712DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4712DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4712DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4712DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  vishay
 si4712dy.pdf pdf_icon

SI4712DY

New ProductSi4712DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.013 at VGS = 10 V 14.630 8.3 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0165 at VGS = 4.5 V 12.9MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested

 9.1. Size:81K  vishay
 si4710cy.pdf pdf_icon

SI4712DY

Si4710CYNew ProductVishay SiliconixBattery Disconnect SwitchFEATURESD Solution for Bi-Directional Blocking D Level-Shifted Gate Drive with Internal MOSFETBi-Directional Conduction SwitchD Ultra Low Power Consumption in Off StateD 6- to 30-V Operation (Leakage Current Only)D Ground Referenced Logic Level Inputs D Logic Supply Voltage is Not RequiredD Integrated Low rDS(on) MO

Другие MOSFET... SI4660DY , SI4666DY , SI4668DY , SI4670DY , SI4682DY , SI4684DY , SI4686DY , SI4688DY , IRF3710 , SI4752DY , SI4774DY , SI4776DY , SI4778DY , SI4800 , SI4800BDY , SI4810BDY , SI4812BDY .

History: APL502J | LSD65R180GT | DADMH056N090Z1B | OSG55R580DF | PHP79NQ08LT | UP9971G-S08-R | STL80N3LLH6

 

 
Back to Top

 


 
.