SI4712DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4712DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14.6 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4712DY Datasheet (PDF)
si4712dy.pdf
New ProductSi4712DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.013 at VGS = 10 V 14.630 8.3 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0165 at VGS = 4.5 V 12.9MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested
si4710cy.pdf
Si4710CYNew ProductVishay SiliconixBattery Disconnect SwitchFEATURESD Solution for Bi-Directional Blocking D Level-Shifted Gate Drive with Internal MOSFETBi-Directional Conduction SwitchD Ultra Low Power Consumption in Off StateD 6- to 30-V Operation (Leakage Current Only)D Ground Referenced Logic Level Inputs D Logic Supply Voltage is Not RequiredD Integrated Low rDS(on) MO
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
