Справочник MOSFET. SI4712DY

 

SI4712DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4712DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4712DY

 

 

SI4712DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  vishay
 si4712dy.pdf

SI4712DY SI4712DY

New ProductSi4712DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.013 at VGS = 10 V 14.630 8.3 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0165 at VGS = 4.5 V 12.9MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested

 9.1. Size:81K  vishay
 si4710cy.pdf

SI4712DY SI4712DY

Si4710CYNew ProductVishay SiliconixBattery Disconnect SwitchFEATURESD Solution for Bi-Directional Blocking D Level-Shifted Gate Drive with Internal MOSFETBi-Directional Conduction SwitchD Ultra Low Power Consumption in Off StateD 6- to 30-V Operation (Leakage Current Only)D Ground Referenced Logic Level Inputs D Logic Supply Voltage is Not RequiredD Integrated Low rDS(on) MO

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top