SI4712DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4712DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4712DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4712DY даташит

 ..1. Size:243K  vishay
 si4712dy.pdf pdf_icon

SI4712DY

New Product Si4712DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.013 at VGS = 10 V 14.6 30 8.3 nC SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0165 at VGS = 4.5 V 12.9 MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested

 9.1. Size:81K  vishay
 si4710cy.pdf pdf_icon

SI4712DY

Si4710CY New Product Vishay Siliconix Battery Disconnect Switch FEATURES D Solution for Bi-Directional Blocking D Level-Shifted Gate Drive with Internal MOSFET Bi-Directional Conduction Switch D Ultra Low Power Consumption in Off State D 6- to 30-V Operation (Leakage Current Only) D Ground Referenced Logic Level Inputs D Logic Supply Voltage is Not Required D Integrated Low rDS(on) MO

Другие IGBT... SI4660DY, SI4666DY, SI4668DY, SI4670DY, SI4682DY, SI4684DY, SI4686DY, SI4688DY, AO3400, SI4752DY, SI4774DY, SI4776DY, SI4778DY, SI4800, SI4800BDY, SI4810BDY, SI4812BDY