SI4752DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4752DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4752DY
SI4752DY Datasheet (PDF)
si4752dy.pdf
New Product Si4752DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0055 at VGS = 10 V 25 SkyFET Monolithic TrenchFET Power 30 13.8 nC 0.0076 at VGS = 4.5 V 21 MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Com
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History: SI4778DY | PB210BM
Liste
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