SI4752DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4752DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4752DY datasheet

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SI4752DY

New Product Si4752DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0055 at VGS = 10 V 25 SkyFET Monolithic TrenchFET Power 30 13.8 nC 0.0076 at VGS = 4.5 V 21 MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Com

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