SI4752DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4752DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4752DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4752DY даташит

 ..1. Size:241K  vishay
 si4752dy.pdf pdf_icon

SI4752DY

New Product Si4752DY Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0055 at VGS = 10 V 25 SkyFET Monolithic TrenchFET Power 30 13.8 nC 0.0076 at VGS = 4.5 V 21 MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Com

Другие IGBT... SI4666DY, SI4668DY, SI4670DY, SI4682DY, SI4684DY, SI4686DY, SI4688DY, SI4712DY, IRFB4227, SI4774DY, SI4776DY, SI4778DY, SI4800, SI4800BDY, SI4810BDY, SI4812BDY, SI4816BDY