Справочник MOSFET. SI4752DY

 

SI4752DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4752DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4752DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4752DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  vishay
 si4752dy.pdf pdf_icon

SI4752DY

New ProductSi4752DYVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0055 at VGS = 10 V 25 SkyFETMonolithic TrenchFETPower 30 13.8 nC0.0076 at VGS = 4.5 V 21MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Com

Другие MOSFET... SI4666DY , SI4668DY , SI4670DY , SI4682DY , SI4684DY , SI4686DY , SI4688DY , SI4712DY , AON6414A , SI4774DY , SI4776DY , SI4778DY , SI4800 , SI4800BDY , SI4810BDY , SI4812BDY , SI4816BDY .

History: CJ3139KDW | F5043 | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | APM4012NU

 

 
Back to Top

 


 
.