SI4874BDY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4874BDY 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 585 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Encapsulados: SO-8
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SI4874BDY datasheet
si4874bdy.pdf
Si4874BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.0085 at VGS = 4.5 V 14 100 % Rg Tested D SO-8 S D 1 8 S D 2 7 S D 3 6 G G D 4 5 Top View S Ordering Information Si4874BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-fr
si4874dy.pdf
Si4874DY New Product Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.0075 @ VGS = 10 V "15 30 30 0.010 @ VGS = 4.5 V "13 D D D D SO-8 SD 1 8 SD 2 7 G SD 3 6 GD N-Channel MOSFET 4 5 Top View S S S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V
si4876dy.pdf
Si4876DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.005 at VGS = 4.5 V 21 TrenchFET Power MOSFET 20 0.0075 at VGS = 2.5 V 17 100 % Rg Tested D SO-8 S D 1 8 G S D 2 7 S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information Si4876DY-T1-E3 (Lead (Pb)-
si4872dy.pdf
Si4872DY New Product Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.0075 @ VGS = 10 V 15 30 30 0.010 @ VGS = 4.5 V 13 D D D D SO-8 SD 1 8 SD 2 7 G SD 3 6 GD N-Channel MOSFET 4 5 Top View S S S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Source Volt
Otros transistores... SI4848DY, SI4850EY, SI4858DY, SI4860DY, SI4862DY, SI4864DY, SI4866BDY, SI4866DY, AON6380, SI4880DY, SI4884BDY, SI4886DY, SI4888DY, SI4890BDY, SI4890DY, SI4892DY, SI4894BDY
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Liste
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MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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