SI4874BDY Todos los transistores

 

SI4874BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4874BDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 585 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI4874BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  vishay
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SI4874BDY

Si4874BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFETs300.0085 at VGS = 4.5 V 14 100 % Rg Tested DSO-8S D1 8SD2 7S D3 6 GGD4 5Top ViewSOrdering Information: Si4874BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-fr

 8.1. Size:81K  vishay
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SI4874BDY

Si4874DYNew ProductVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0075 @ VGS = 10 V "1530300.010 @ VGS = 4.5 V "13D D D DSO-8SD1 8SD2 7GSD3 6GD N-Channel MOSFET4 5Top ViewS S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30V

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SI4874BDY

Si4876DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.005 at VGS = 4.5 V 21 TrenchFET Power MOSFET200.0075 at VGS = 2.5 V 17 100 % Rg TestedDSO-8S D1 8GS D2 7S D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information: Si4876DY-T1-E3 (Lead (Pb)-

 9.2. Size:64K  vishay
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SI4874BDY

Si4872DYNew ProductVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0075 @ VGS = 10 V 1530300.010 @ VGS = 4.5 V 13D D D DSO-8SD1 8SD2 7GSD3 6GD N-Channel MOSFET4 5Top ViewS S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol 10 secs Steady State UnitDrain-Source Volt

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History: BLP042N10G-P | FQA5N90

 

 
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