SI4874BDY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4874BDY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 585 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4874BDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4874BDY даташит

 ..1. Size:226K  vishay
 si4874bdy.pdf pdf_icon

SI4874BDY

Si4874BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.0085 at VGS = 4.5 V 14 100 % Rg Tested D SO-8 S D 1 8 S D 2 7 S D 3 6 G G D 4 5 Top View S Ordering Information Si4874BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-fr

 8.1. Size:81K  vishay
 si4874dy.pdf pdf_icon

SI4874BDY

Si4874DY New Product Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.0075 @ VGS = 10 V "15 30 30 0.010 @ VGS = 4.5 V "13 D D D D SO-8 SD 1 8 SD 2 7 G SD 3 6 GD N-Channel MOSFET 4 5 Top View S S S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V

 9.1. Size:220K  vishay
 si4876dy.pdf pdf_icon

SI4874BDY

Si4876DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.005 at VGS = 4.5 V 21 TrenchFET Power MOSFET 20 0.0075 at VGS = 2.5 V 17 100 % Rg Tested D SO-8 S D 1 8 G S D 2 7 S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information Si4876DY-T1-E3 (Lead (Pb)-

 9.2. Size:64K  vishay
 si4872dy.pdf pdf_icon

SI4874BDY

Si4872DY New Product Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.0075 @ VGS = 10 V 15 30 30 0.010 @ VGS = 4.5 V 13 D D D D SO-8 SD 1 8 SD 2 7 G SD 3 6 GD N-Channel MOSFET 4 5 Top View S S S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Source Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4848DY, SI4850EY, SI4858DY, SI4860DY, SI4862DY, SI4864DY, SI4866BDY, SI4866DY, AON6380, SI4880DY, SI4884BDY, SI4886DY, SI4888DY, SI4890BDY, SI4890DY, SI4892DY, SI4894BDY