SI4874BDY - аналоги и даташиты транзистора

 

SI4874BDY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4874BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 585 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4874BDY

 

SI4874BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  vishay
 si4874bdy.pdf pdf_icon

SI4874BDY

Si4874BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.0085 at VGS = 4.5 V 14 100 % Rg Tested D SO-8 S D 1 8 S D 2 7 S D 3 6 G G D 4 5 Top View S Ordering Information Si4874BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-fr

 8.1. Size:81K  vishay
 si4874dy.pdf pdf_icon

SI4874BDY

Si4874DY New Product Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.0075 @ VGS = 10 V "15 30 30 0.010 @ VGS = 4.5 V "13 D D D D SO-8 SD 1 8 SD 2 7 G SD 3 6 GD N-Channel MOSFET 4 5 Top View S S S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V

 9.1. Size:220K  vishay
 si4876dy.pdf pdf_icon

SI4874BDY

Si4876DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.005 at VGS = 4.5 V 21 TrenchFET Power MOSFET 20 0.0075 at VGS = 2.5 V 17 100 % Rg Tested D SO-8 S D 1 8 G S D 2 7 S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information Si4876DY-T1-E3 (Lead (Pb)-

 9.2. Size:64K  vishay
 si4872dy.pdf pdf_icon

SI4874BDY

Si4872DY New Product Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.0075 @ VGS = 10 V 15 30 30 0.010 @ VGS = 4.5 V 13 D D D D SO-8 SD 1 8 SD 2 7 G SD 3 6 GD N-Channel MOSFET 4 5 Top View S S S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Source Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4848DY , SI4850EY , SI4858DY , SI4860DY , SI4862DY , SI4864DY , SI4866BDY , SI4866DY , AON6380 , SI4880DY , SI4884BDY , SI4886DY , SI4888DY , SI4890BDY , SI4890DY , SI4892DY , SI4894BDY .

 

 
Back to Top

 


 
.