Справочник MOSFET. SI4874BDY

 

SI4874BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4874BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 585 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4874BDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4874BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  vishay
si4874bdy.pdfpdf_icon

SI4874BDY

Si4874BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFETs300.0085 at VGS = 4.5 V 14 100 % Rg Tested DSO-8S D1 8SD2 7S D3 6 GGD4 5Top ViewSOrdering Information: Si4874BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-fr

 8.1. Size:81K  vishay
si4874dy.pdfpdf_icon

SI4874BDY

Si4874DYNew ProductVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0075 @ VGS = 10 V "1530300.010 @ VGS = 4.5 V "13D D D DSO-8SD1 8SD2 7GSD3 6GD N-Channel MOSFET4 5Top ViewS S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30V

 9.1. Size:220K  vishay
si4876dy.pdfpdf_icon

SI4874BDY

Si4876DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.005 at VGS = 4.5 V 21 TrenchFET Power MOSFET200.0075 at VGS = 2.5 V 17 100 % Rg TestedDSO-8S D1 8GS D2 7S D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information: Si4876DY-T1-E3 (Lead (Pb)-

 9.2. Size:64K  vishay
si4872dy.pdfpdf_icon

SI4874BDY

Si4872DYNew ProductVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0075 @ VGS = 10 V 1530300.010 @ VGS = 4.5 V 13D D D DSO-8SD1 8SD2 7GSD3 6GD N-Channel MOSFET4 5Top ViewS S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol 10 secs Steady State UnitDrain-Source Volt

Другие MOSFET... SI4848DY , SI4850EY , SI4858DY , SI4860DY , SI4862DY , SI4864DY , SI4866BDY , SI4866DY , IRLZ44N , SI4880DY , SI4884BDY , SI4886DY , SI4888DY , SI4890BDY , SI4890DY , SI4892DY , SI4894BDY .

History: NCEP0140AG

 

 
Back to Top

 


 
.