SI4888DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4888DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4888DY datasheet

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SI4888DY

Si4888DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET 30 0.010 at VGS = 4.5 V 13 High-Efficiency PWM Optimized 100 % Rg Tested SO-8 D S D 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G G 4 5 D Top View S

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SI4888DY

Si4884BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0090 at VGS = 10 V 16.5 TrenchFET Power MOSFETs 30 10.5 nC PWM Optimized 0.012 at VGS = 4.5 V 13.2 SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 G GD 4 5 Top View S Ordering Information Si

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SI4888DY

Si4886DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.010 at VGS = 10 V 13 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.0135 at VGS = 4.5 V 11 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 D S D 1 8 S D 2 7 S D 3

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SI4888DY

Si4884DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.0105 @ VGS = 10 V 12 30 30 0.0165 @ VGS = 4.5 V 10 D D D D SO-8 SD 1 8 S D 2 7 G SD 3 6 G D N-Channel MOSFET 4 5 Top View Ordering Information Si4884DY Si4884DY-T1 (with Tape and Reel) S S S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Param

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