SI4888DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4888DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4888DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4888DY даташит

 ..1. Size:224K  vishay
 si4888dy.pdf pdf_icon

SI4888DY

Si4888DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.007 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET 30 0.010 at VGS = 4.5 V 13 High-Efficiency PWM Optimized 100 % Rg Tested SO-8 D S D 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G G 4 5 D Top View S

 9.1. Size:254K  vishay
 si4884bdy.pdf pdf_icon

SI4888DY

Si4884BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0090 at VGS = 10 V 16.5 TrenchFET Power MOSFETs 30 10.5 nC PWM Optimized 0.012 at VGS = 4.5 V 13.2 SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 G GD 4 5 Top View S Ordering Information Si

 9.2. Size:590K  vishay
 si4886dy.pdf pdf_icon

SI4888DY

Si4886DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.010 at VGS = 10 V 13 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.0135 at VGS = 4.5 V 11 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 D S D 1 8 S D 2 7 S D 3

 9.3. Size:69K  vishay
 si4884dy.pdf pdf_icon

SI4888DY

Si4884DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.0105 @ VGS = 10 V 12 30 30 0.0165 @ VGS = 4.5 V 10 D D D D SO-8 SD 1 8 S D 2 7 G SD 3 6 G D N-Channel MOSFET 4 5 Top View Ordering Information Si4884DY Si4884DY-T1 (with Tape and Reel) S S S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Param

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4862DY, SI4864DY, SI4866BDY, SI4866DY, SI4874BDY, SI4880DY, SI4884BDY, SI4886DY, AON7506, SI4890BDY, SI4890DY, SI4892DY, SI4894BDY, SI4896DY, SI4904DY, SI4909DY, SI4913DY