IRFS241 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS241

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO3PF

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IRFS241 datasheet

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IRFS241

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IRFS241

November 2001 IRFS240B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 12.8A, 200V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast

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IRFS241

November 2001 IRFS244B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 10.2A, 250V, RDS(on) = 0.28 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 47 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast

 8.3. Size:207K  1
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