SI4909DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4909DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: SO-8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SI4909DY MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI4909DY datasheet

 ..1. Size:267K  vishay
 si4909dy.pdf pdf_icon

SI4909DY

New Product Si4909DY Vishay Siliconix Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.027 at VGS = - 10 V - 8 TrenchFET Power MOSFET - 40 21.7 nC 0.034 at VGS = - 4.5 V - 7.2 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S

 ..2. Size:847K  cn vbsemi
 si4909dy.pdf pdf_icon

SI4909DY

SI4909DY www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.021 at VGS = - 10 V - 9.5 100 % UIS Tested RoHS - 30 15 nC COMPLIANT 0.028 at VGS = - 4.5 V - 8.0 APPLICATIONS Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs SO-8 S1 S2 - Game Stations S1 1 D1 8 G1

 9.1. Size:240K  vishay
 si4904dy.pdf pdf_icon

SI4909DY

Si4904DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 40-V MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.016 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET 40 56 0.019 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested 8 UIS Tested APPLICATIONS CCFL Inverter SO-8 D1 D2 S D 1 1 1 8 G 1 2 D 1 7 S D 2 2 3

 9.2. Size:259K  vishay
 si4906dy.pdf pdf_icon

SI4909DY

Si4906DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.039 at VGS = 10 V 6.6 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 40 6.6 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = 4.5 V 5.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS CCFL Inverter

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SI4886DY, SI4888DY, SI4890BDY, SI4890DY, SI4892DY, SI4894BDY, SI4896DY, SI4904DY, IRFP250, SI4913DY, SI4914BDY, SI4916DY, SI4925DDY, SI4931DY, SI4936CDY, SI4943CDY, SI4946BEY