Справочник MOSFET. SI4909DY

 

SI4909DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4909DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4909DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  vishay
si4909dy.pdfpdf_icon

SI4909DY

New ProductSi4909DYVishay SiliconixDual P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.027 at VGS = - 10 V - 8 TrenchFET Power MOSFET- 40 21.7 nC0.034 at VGS = - 4.5 V - 7.2 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS

 ..2. Size:847K  cn vbsemi
si4909dy.pdfpdf_icon

SI4909DY

SI4909DYwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.021 at VGS = - 10 V - 9.5 100 % UIS TestedRoHS- 30 15 nCCOMPLIANT0.028 at VGS = - 4.5 V - 8.0APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSO-8S1 S2- Game StationsS1 1 D18G1

 9.1. Size:240K  vishay
si4904dy.pdfpdf_icon

SI4909DY

Si4904DYVishay SiliconixDual N-Channel 40-V MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.016 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET40 560.019 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested8 UIS TestedAPPLICATIONS CCFL InverterSO-8 D1 D2S D 1 1 1 8 G 1 2 D 1 7 S D 2 2 3

 9.2. Size:259K  vishay
si4906dy.pdfpdf_icon

SI4909DY

Si4906DYVishay SiliconixDual N-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.039 at VGS = 10 V 6.6 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 40 6.6 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = 4.5 V 5.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS CCFL Inverter

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: APM4588K | NCE65T540F | NDT6N70 | MCH3427 | PSMN4R0-60YS | IPD50R280CE | TPG70R600M

 

 
Back to Top

 


 
.