SI4936CDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4936CDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4936CDY

SI4936CDY Datasheet (PDF)

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New ProductSi4936CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET5.830 2.8 nC0.050 at VGS = 4.5 V 5.5APPLICATIONS Low Current DC/DC Conversion Notebook System PowerSO-8 D1D2S1 D1

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8.1. Size:238K vishay
si4936ad.pdf

Si4936ADYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.036 at VGS = 10 V 5.9 TrenchFET Power MOSFET300.053 at VGS = 4.5 V 4.9 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25 G1 G2Top ViewS1 S2

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Si4936BDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = 10 V 6.9 TrenchFET Power MOSFET30 4.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.051 at VGS = 4.5 V 5.7APPLICATIONS Low Current DC/DC Conversion Notebook Syste

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Si4936DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D Lead (Pb)-Free Version is RoHS AvailableCompliant0.037 @ VGS = 10 V 5.830300.055 @ VGS = 4.5 V 4.7D1 D2SO-8S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D25Top ViewS1 S2N-Channel MOSFET N-Channel MOSFETOrdering Information:

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