Справочник MOSFET. SI4936CDY

 

SI4936CDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4936CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4936CDY

 

 

SI4936CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  vishay
 si4936cdy.pdf

SI4936CDY SI4936CDY

New ProductSi4936CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET5.830 2.8 nC0.050 at VGS = 4.5 V 5.5APPLICATIONS Low Current DC/DC Conversion Notebook System PowerSO-8 D1D2S1 D1

 6.1. Size:249K  vishay
 si4936cd.pdf

SI4936CDY SI4936CDY

New ProductSi4936CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET5.830 2.8 nC0.050 at VGS = 4.5 V 5.5APPLICATIONS Low Current DC/DC Conversion Notebook System PowerSO-8 D1D2S1 D1

 8.1. Size:238K  vishay
 si4936ad.pdf

SI4936CDY SI4936CDY

Si4936ADYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.036 at VGS = 10 V 5.9 TrenchFET Power MOSFET300.053 at VGS = 4.5 V 4.9 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25 G1 G2Top ViewS1 S2

 8.2. Size:235K  vishay
 si4936bd.pdf

SI4936CDY SI4936CDY

Si4936BDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = 10 V 6.9 TrenchFET Power MOSFET30 4.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.051 at VGS = 4.5 V 5.7APPLICATIONS Low Current DC/DC Conversion Notebook Syste

 8.3. Size:68K  vishay
 si4936dy.pdf

SI4936CDY SI4936CDY

Si4936DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D Lead (Pb)-Free Version is RoHS AvailableCompliant0.037 @ VGS = 10 V 5.830300.055 @ VGS = 4.5 V 4.7D1 D2SO-8S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D25Top ViewS1 S2N-Channel MOSFET N-Channel MOSFETOrdering Information:

 8.4. Size:174K  vishay
 si4936ady.pdf

SI4936CDY SI4936CDY

Si4936ADYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.036 at VGS = 10 V 5.9 TrenchFET Power MOSFET300.053 at VGS = 4.5 V 4.9 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25 G1 G2Top ViewS1 S2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top