Справочник MOSFET. SI4936CDY

 

SI4936CDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4936CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4936CDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4936CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  vishay
 si4936cdy.pdf pdf_icon

SI4936CDY

New ProductSi4936CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET5.830 2.8 nC0.050 at VGS = 4.5 V 5.5APPLICATIONS Low Current DC/DC Conversion Notebook System PowerSO-8 D1D2S1 D1

 6.1. Size:249K  vishay
 si4936cd.pdf pdf_icon

SI4936CDY

New ProductSi4936CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET5.830 2.8 nC0.050 at VGS = 4.5 V 5.5APPLICATIONS Low Current DC/DC Conversion Notebook System PowerSO-8 D1D2S1 D1

 8.1. Size:238K  vishay
 si4936ad.pdf pdf_icon

SI4936CDY

Si4936ADYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.036 at VGS = 10 V 5.9 TrenchFET Power MOSFET300.053 at VGS = 4.5 V 4.9 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25 G1 G2Top ViewS1 S2

 8.2. Size:235K  vishay
 si4936bd.pdf pdf_icon

SI4936CDY

Si4936BDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = 10 V 6.9 TrenchFET Power MOSFET30 4.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.051 at VGS = 4.5 V 5.7APPLICATIONS Low Current DC/DC Conversion Notebook Syste

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4896DY , SI4904DY , SI4909DY , SI4913DY , SI4914BDY , SI4916DY , SI4925DDY , SI4931DY , IRFZ46N , SI4943CDY , SI4946BEY , SI4948BEY , SI4992EY , SI5401DC , SI5402BDC , SI5402DC , SI5403DC .

History: SFB60N100 | NVBF170L | TPC8006-H | HYG065N07NS1U | HFP70N06 | AP3N4R5M | WMB048NV6HG4

 

 
Back to Top

 


 
.