SI4948BEY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4948BEY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4948BEY datasheet

 ..1. Size:229K  vishay
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SI4948BEY

Si4948BEY Vishay Siliconix Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.120 at VGS = - 10 V - 3.1 - 60 TrenchFET Power MOSFET 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5

 0.1. Size:870K  cn vbsemi
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SI4948BEY

SI4948BEY-T1-E3 www.VBsemi.tw Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS Tested RoHS - 60 17 nC COMPLIANT 0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5

 6.1. Size:226K  vishay
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SI4948BEY

Si4948BEY Vishay Siliconix Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.120 at VGS = - 10 V - 3.1 - 60 TrenchFET Power MOSFET 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5

 8.1. Size:216K  vishay
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SI4948BEY

Si4948EY Vishay Siliconix Dual P-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.120 at VGS = - 10 V 3.1 - 60 TrenchFET Power MOSFETs 0.150 at VGS = - 4.5 V 2.8 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S1 S2 SO-8 S1 1 D1

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