SI4948BEY Todos los transistores

 

SI4948BEY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4948BEY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI4948BEY Datasheet (PDF)

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SI4948BEY

Si4948BEYVishay SiliconixDual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.120 at VGS = - 10 V - 3.1- 60 TrenchFET Power MOSFET 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

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SI4948BEY

SI4948BEY-T1-E3www.VBsemi.twDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 60 17 nCCOMPLIANT0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

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SI4948BEY

Si4948BEYVishay SiliconixDual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.120 at VGS = - 10 V - 3.1- 60 TrenchFET Power MOSFET 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

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SI4948BEY

Si4948EYVishay SiliconixDual P-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.120 at VGS = - 10 V 3.1- 60 TrenchFET Power MOSFETs0.150 at VGS = - 4.5 V 2.8 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D1

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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