SI4948BEY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4948BEY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4948BEY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4948BEY даташит

 ..1. Size:229K  vishay
 si4948bey.pdf pdf_icon

SI4948BEY

Si4948BEY Vishay Siliconix Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.120 at VGS = - 10 V - 3.1 - 60 TrenchFET Power MOSFET 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5

 0.1. Size:870K  cn vbsemi
 si4948bey-t1-e3.pdf pdf_icon

SI4948BEY

SI4948BEY-T1-E3 www.VBsemi.tw Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS Tested RoHS - 60 17 nC COMPLIANT 0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5

 6.1. Size:226K  vishay
 si4948be.pdf pdf_icon

SI4948BEY

Si4948BEY Vishay Siliconix Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.120 at VGS = - 10 V - 3.1 - 60 TrenchFET Power MOSFET 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5

 8.1. Size:216K  vishay
 si4948ey.pdf pdf_icon

SI4948BEY

Si4948EY Vishay Siliconix Dual P-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.120 at VGS = - 10 V 3.1 - 60 TrenchFET Power MOSFETs 0.150 at VGS = - 4.5 V 2.8 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S1 S2 SO-8 S1 1 D1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4913DY, SI4914BDY, SI4916DY, SI4925DDY, SI4931DY, SI4936CDY, SI4943CDY, SI4946BEY, 20N50, SI4992EY, SI5401DC, SI5402BDC, SI5402DC, SI5403DC, SI5404BDC, SI5406CDC, SI5406DC