Справочник MOSFET. SI4948BEY

 

SI4948BEY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4948BEY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4948BEY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  vishay
 si4948bey.pdf pdf_icon

SI4948BEY

Si4948BEYVishay SiliconixDual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.120 at VGS = - 10 V - 3.1- 60 TrenchFET Power MOSFET 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

 0.1. Size:870K  cn vbsemi
 si4948bey-t1-e3.pdf pdf_icon

SI4948BEY

SI4948BEY-T1-E3www.VBsemi.twDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 60 17 nCCOMPLIANT0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

 6.1. Size:226K  vishay
 si4948be.pdf pdf_icon

SI4948BEY

Si4948BEYVishay SiliconixDual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.120 at VGS = - 10 V - 3.1- 60 TrenchFET Power MOSFET 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

 8.1. Size:216K  vishay
 si4948ey.pdf pdf_icon

SI4948BEY

Si4948EYVishay SiliconixDual P-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.120 at VGS = - 10 V 3.1- 60 TrenchFET Power MOSFETs0.150 at VGS = - 4.5 V 2.8 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP15NM60N | IPP065N04NG | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | IRFE330

 

 
Back to Top

 


 
.