Справочник MOSFET. SI4948BEY

 

SI4948BEY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4948BEY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4948BEY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4948BEY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  vishay
 si4948bey.pdf pdf_icon

SI4948BEY

Si4948BEYVishay SiliconixDual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.120 at VGS = - 10 V - 3.1- 60 TrenchFET Power MOSFET 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

 0.1. Size:870K  cn vbsemi
 si4948bey-t1-e3.pdf pdf_icon

SI4948BEY

SI4948BEY-T1-E3www.VBsemi.twDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 60 17 nCCOMPLIANT0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

 6.1. Size:226K  vishay
 si4948be.pdf pdf_icon

SI4948BEY

Si4948BEYVishay SiliconixDual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.120 at VGS = - 10 V - 3.1- 60 TrenchFET Power MOSFET 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

 8.1. Size:216K  vishay
 si4948ey.pdf pdf_icon

SI4948BEY

Si4948EYVishay SiliconixDual P-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.120 at VGS = - 10 V 3.1- 60 TrenchFET Power MOSFETs0.150 at VGS = - 4.5 V 2.8 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4913DY , SI4914BDY , SI4916DY , SI4925DDY , SI4931DY , SI4936CDY , SI4943CDY , SI4946BEY , 2N60 , SI4992EY , SI5401DC , SI5402BDC , SI5402DC , SI5403DC , SI5404BDC , SI5406CDC , SI5406DC .

History: AO4420A | STP15NM60N | NCE0130A | STD4N90K5 | PTF4N65 | AP2300 | IXFA4N100Q

 

 
Back to Top

 


 
.