SI4992EY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4992EY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4992EY
SI4992EY Datasheet (PDF)
si4992ey.pdf
Si4992EY Vishay Siliconix Dual N-Channel 75-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.048 at VGS = 10 V 4.8 75 TrenchFET Power MOSFETs 0.062 at VGS = 4.5 V 4.2 175 C Maximum Junction Temperature High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D1 D2
Otros transistores... SI4914BDY , SI4916DY , SI4925DDY , SI4931DY , SI4936CDY , SI4943CDY , SI4946BEY , SI4948BEY , IRF520 , SI5401DC , SI5402BDC , SI5402DC , SI5403DC , SI5404BDC , SI5406CDC , SI5406DC , SI5410DU .
History: SI4946BEY
History: SI4946BEY
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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