SI4992EY Todos los transistores

 

SI4992EY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4992EY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4992EY Datasheet (PDF)

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SI4992EY

Si4992EYVishay SiliconixDual N-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.048 at VGS = 10 V 4.875 TrenchFET Power MOSFETs0.062 at VGS = 4.5 V 4.2 175 C Maximum Junction Temperature High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD1 D2

Otros transistores... SI4914BDY , SI4916DY , SI4925DDY , SI4931DY , SI4936CDY , SI4943CDY , SI4946BEY , SI4948BEY , CS150N03A8 , SI5401DC , SI5402BDC , SI5402DC , SI5403DC , SI5404BDC , SI5406CDC , SI5406DC , SI5410DU .

History: APM4435K | IPP139N08N3G | 2N5116 | RD45HMF1 | IRL3714ZSPBF | AFN3015S | QM2410J

 

 
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