SI4992EY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4992EY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4992EY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4992EY даташит

 ..1. Size:251K  vishay
 si4992ey.pdf pdf_icon

SI4992EY

Si4992EY Vishay Siliconix Dual N-Channel 75-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.048 at VGS = 10 V 4.8 75 TrenchFET Power MOSFETs 0.062 at VGS = 4.5 V 4.2 175 C Maximum Junction Temperature High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D1 D2

Другие IGBT... SI4914BDY, SI4916DY, SI4925DDY, SI4931DY, SI4936CDY, SI4943CDY, SI4946BEY, SI4948BEY, IRF520, SI5401DC, SI5402BDC, SI5402DC, SI5403DC, SI5404BDC, SI5406CDC, SI5406DC, SI5410DU