Справочник MOSFET. SI4992EY

 

SI4992EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4992EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4992EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4992EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  vishay
 si4992ey.pdf pdf_icon

SI4992EY

Si4992EYVishay SiliconixDual N-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.048 at VGS = 10 V 4.875 TrenchFET Power MOSFETs0.062 at VGS = 4.5 V 4.2 175 C Maximum Junction Temperature High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD1 D2

Другие MOSFET... SI4914BDY , SI4916DY , SI4925DDY , SI4931DY , SI4936CDY , SI4943CDY , SI4946BEY , SI4948BEY , CS150N03A8 , SI5401DC , SI5402BDC , SI5402DC , SI5403DC , SI5404BDC , SI5406CDC , SI5406DC , SI5410DU .

History: KF3N60D | SI4886DY | MTD120C10J4 | STK830D | FHP15N65A | IPS60R210PFD7S | IRFF9132

 

 
Back to Top

 


 
.