SI5410DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5410DU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5410DU
SI5410DU Datasheet (PDF)
si5410du.pdf
New Product Si5410DU Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 40 10 nC 0.021 at VGS = 4.5 V 12 COMPLIANT ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Single - Low On-Resistance
si5414dc.pdf
New Product Si5414DC Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.017 at VGS = 4.5 V 6 20 12.5 nC 100 % Rg Tested 0.022 at VGS = 2.5 V 6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switches 1206-8
si5418du.pdf
New Product Si5418DU Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0145 at VGS = 10 V 12 RoHS 30 9.5 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.0185 at VGS = 4.5 V 12 COMPLIANT ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Single - Low On-Resista
si5415aedu.pdf
Si5415AEDU www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package 0.0096 at VGS = - 4.5 V - 25 - Small Footprint Area - 20 0.0132 at VGS = - 2.5 V - 25 43 nC - Low On-Resistance 0.0220 at VGS = - 1.8 V - 7 100 % Rg and UIS T
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Liste
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