SI5429DU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI5429DU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: POWERPAK

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SI5429DU datasheet

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SI5429DU

Si5429DU Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.015 at VGS = - 10 V - 12a - 30 20 nC ChipFET Package 0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a - Small Footprint Area, Thin 0.8 mm Profile - Low On-Resistance 100 % Rg Tested Material categoriz

 9.1. Size:235K  vishay
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SI5429DU

Si5424DC Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.024 at VGS = 10 V 6 30 11 nC TrenchFET Power MOSFET 0.030 at VGS = 4.5 V 6 APPLICATIONS ChipFET 1206-8 Load Switch - Notebook PC 1 D D D D D D Marking Code D G AF XXX Lot Traceability

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