SI5429DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI5429DU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5429DU

SI5429DU Datasheet (PDF)

..1. Size:166K vishay
si5429du.pdf

Si5429DUVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK0.015 at VGS = - 10 V - 12a- 30 20 nC ChipFET Package0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a- Small Footprint Area, Thin 0.8 mm Profile- Low On-Resistance 100 % Rg Tested Material categoriz

9.1. Size:235K vishay
si5424dc.pdf

Si5424DCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.024 at VGS = 10 V 630 11 nC TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 4.5 V 6APPLICATIONSChipFET 1206-8 Load Switch- Notebook PC1DDD DD DMarking CodeD GAF XXXLot Traceability

Otros transistores... SI5406DC , SI5410DU , SI5411EDU , SI5414DC , SI5415AEDU , SI5418DU , SI5419DU , SI5424DC , 60N06 , SI5432DC , SI5433BDC , SI5435BDC , SI5440DC , SI5441BDC , SI5441DC , SI5442DU , SI5443DC .

History: BLF7G24LS-140

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: