Справочник MOSFET. SI5429DU

 

SI5429DU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5429DU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK
 

 Аналог (замена) для SI5429DU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5429DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  vishay
 si5429du.pdf pdf_icon

SI5429DU

Si5429DUVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK0.015 at VGS = - 10 V - 12a- 30 20 nC ChipFET Package0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a- Small Footprint Area, Thin 0.8 mm Profile- Low On-Resistance 100 % Rg Tested Material categoriz

 9.1. Size:235K  vishay
 si5424dc.pdf pdf_icon

SI5429DU

Si5424DCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.024 at VGS = 10 V 630 11 nC TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 4.5 V 6APPLICATIONSChipFET 1206-8 Load Switch- Notebook PC1DDD DD DMarking CodeD GAF XXXLot Traceability

Другие MOSFET... SI5406DC , SI5410DU , SI5411EDU , SI5414DC , SI5415AEDU , SI5418DU , SI5419DU , SI5424DC , IRF1405 , SI5432DC , SI5433BDC , SI5435BDC , SI5440DC , SI5441BDC , SI5441DC , SI5442DU , SI5443DC .

 

 
Back to Top

 


 
.