Справочник MOSFET. SI5429DU

 

SI5429DU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5429DU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5429DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  vishay
 si5429du.pdf pdf_icon

SI5429DU

Si5429DUVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK0.015 at VGS = - 10 V - 12a- 30 20 nC ChipFET Package0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a- Small Footprint Area, Thin 0.8 mm Profile- Low On-Resistance 100 % Rg Tested Material categoriz

 9.1. Size:235K  vishay
 si5424dc.pdf pdf_icon

SI5429DU

Si5424DCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.024 at VGS = 10 V 630 11 nC TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 4.5 V 6APPLICATIONSChipFET 1206-8 Load Switch- Notebook PC1DDD DD DMarking CodeD GAF XXXLot Traceability

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TPC8052-H | AO6804A | RQJ0304DQDQS | HP8KA1 | WMJ38N60C2 | SFW9510 | 4N65L-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.