SI5429DU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5429DU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5429DU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5429DU даташит

 ..1. Size:166K  vishay
 si5429du.pdf pdf_icon

SI5429DU

Si5429DU Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.015 at VGS = - 10 V - 12a - 30 20 nC ChipFET Package 0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a - Small Footprint Area, Thin 0.8 mm Profile - Low On-Resistance 100 % Rg Tested Material categoriz

 9.1. Size:235K  vishay
 si5424dc.pdf pdf_icon

SI5429DU

Si5424DC Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.024 at VGS = 10 V 6 30 11 nC TrenchFET Power MOSFET 0.030 at VGS = 4.5 V 6 APPLICATIONS ChipFET 1206-8 Load Switch - Notebook PC 1 D D D D D D Marking Code D G AF XXX Lot Traceability

Другие IGBT... SI5406DC, SI5410DU, SI5411EDU, SI5414DC, SI5415AEDU, SI5418DU, SI5419DU, SI5424DC, IRF830, SI5432DC, SI5433BDC, SI5435BDC, SI5440DC, SI5441BDC, SI5441DC, SI5442DU, SI5443DC