SI5475DDC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5475DDC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: 1206-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5475DDC
SI5475DDC Datasheet (PDF)
si5475ddc.pdf
New Product Si5475DDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.032 at VGS = - 4.5 V - 6a RoHS 0.040 at VGS = - 2.5 V - 12 - 6a 20 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices 1206-8 ChipFET 1 S D D D G D D
si5475dd.pdf
New Product Si5475DDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.032 at VGS = - 4.5 V - 6a RoHS 0.040 at VGS = - 2.5 V - 12 - 6a 20 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices 1206-8 ChipFET 1 S D D D G D D
si5475dc.pdf
Si5475DC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.031 at VGS = - 4.5 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFETs 0.041 at VGS = - 2.5 V 1.8 V Rated - 12 - 6.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.054 at VGS = - 1.8 V - 5.8 1206-8 ChipFET S 1 D D D
si5475bdc.pdf
Si5475BDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( ) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated - 12 0.039 at VGS = - 2.5V - 6 15.5 nC 0.054 at VGS = - 1.8 V - 6 1206-8 ChipFET S 1 D G D D D D Marking Code D G BN XXX
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Liste
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