SI5475DDC datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI5475DDC 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: 1206-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI5475DDC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI5475DDC даташит
si5475ddc.pdf
New Product Si5475DDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.032 at VGS = - 4.5 V - 6a RoHS 0.040 at VGS = - 2.5 V - 12 - 6a 20 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices 1206-8 ChipFET 1 S D D D G D D
si5475dd.pdf
New Product Si5475DDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.032 at VGS = - 4.5 V - 6a RoHS 0.040 at VGS = - 2.5 V - 12 - 6a 20 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.052 at VGS = - 1.8 V - 6a Load Switch for Portable Devices 1206-8 ChipFET 1 S D D D G D D
si5475dc.pdf
Si5475DC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.031 at VGS = - 4.5 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFETs 0.041 at VGS = - 2.5 V 1.8 V Rated - 12 - 6.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.054 at VGS = - 1.8 V - 5.8 1206-8 ChipFET S 1 D D D
si5475bdc.pdf
Si5475BDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( ) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated - 12 0.039 at VGS = - 2.5V - 6 15.5 nC 0.054 at VGS = - 1.8 V - 6 1206-8 ChipFET S 1 D G D D D D Marking Code D G BN XXX
Другие IGBT... SI5458DU, SI5459DU, SI5461EDC, SI5463EDC, SI5468DC, SI5471DC, SI5475BDC, SI5475DC, 50N06, SI5476DU, SI5479DU, SI5480DU, SI5481DU, SI5482DU, SI5484DU, SI5485DU, SI5486DU
History: DHS025N10U | IRF5810 | IXTQ160N10T | TSM3457CX6 | IXTV230N085T | HGP100N12S | DTG025N04NA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550





