SI5482DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5482DU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5482DU
SI5482DU Datasheet (PDF)
si5482du.pdf
Si5482DU Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.015 at VGS = 10 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 30 16 nC 0.0175 at VGS = 4.5 V 12 COMPLIANT ChipFET Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance PowerPAK ChipFET Single - Thin 0.8 m
si5486du.pdf
Si5486DU Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.015 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK 12 RoHS ChipFET Package COMPLIANT 0.017 at VGS = 2.5 V 20 21 nC 12 - Small Footprint Area 0.021 at VGS = 1.8 V - Low On-Resistance 12 - Thin 0.8 m
si5480du.pdf
Si5480DU Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.016 at VGS = 10 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 30 11 nC 0.022 at VGS = 4.5 V 12 ChipFET Package COMPLIANT - Small Footprint Area - Low On-Resistance PowerPAK ChipFET Single - Thin 0.8 mm
si5481du.pdf
New Product Si5481DU Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a New thermally Enhanced PowerPAK RoHS COMPLIANT ChipFET Package - 20 0.029 at VGS = - 2.5 V - 12a 20 nC - Small Footprint Area 0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a - Low On-R
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Liste
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