Справочник MOSFET. SI5482DU

 

SI5482DU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5482DU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK
 

 Аналог (замена) для SI5482DU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5482DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  vishay
 si5482du.pdf pdf_icon

SI5482DU

Si5482DUVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = 10 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS30 16 nC0.0175 at VGS = 4.5 V 12 COMPLIANTChipFET Package- Small Footprint Area- Low On-ResistancePowerPAK ChipFET Single- Thin 0.8 m

 9.1. Size:167K  vishay
 si5486du.pdf pdf_icon

SI5482DU

Si5486DUVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK12RoHSChipFET PackageCOMPLIANT0.017 at VGS = 2.5 V 20 21 nC12- Small Footprint Area0.021 at VGS = 1.8 V - Low On-Resistance12- Thin 0.8 m

 9.2. Size:166K  vishay
 si5480du.pdf pdf_icon

SI5482DU

Si5480DUVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.016 at VGS = 10 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS30 11 nC0.022 at VGS = 4.5 V 12 ChipFET PackageCOMPLIANT- Small Footprint Area- Low On-ResistancePowerPAK ChipFET Single- Thin 0.8 mm

 9.3. Size:150K  vishay
 si5481du.pdf pdf_icon

SI5482DU

New ProductSi5481DUVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a New thermally Enhanced PowerPAKRoHSCOMPLIANTChipFET Package- 20 0.029 at VGS = - 2.5 V - 12a 20 nC- Small Footprint Area0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a- Low On-R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI5471DC , SI5475BDC , SI5475DC , SI5475DDC , SI5476DU , SI5479DU , SI5480DU , SI5481DU , IRFP260N , SI5484DU , SI5485DU , SI5486DU , SI5499DC , SI5504BDC , SI5513CDC , SI5515CDC , SI5517DU .

History: 2SK1758 | RF1S4N100SM | SI5933CDC | SI5403DC | IPL60R199CP

 

 
Back to Top

 


 
.