SI5499DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5499DC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: 1206-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5499DC
SI5499DC Datasheet (PDF)
si5499dc.pdf
Si5499DC Vishay Siliconix P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Available 0.036 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET 1.5 V Rated 0.045 at VGS = - 2.5 V - 6 Ultra-Low On-Resistance - 8 14 nC 0.056 at VGS = - 1.8 V - 6 APPLICATIONS 0.077 at VGS = - 1.5 V - 6
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Liste
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