SI5499DC Todos los transistores

 

SI5499DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5499DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8
 

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SI5499DC Datasheet (PDF)

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SI5499DC

Si5499DCVishay SiliconixP-Channel 1.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Available0.036 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET: 1.5 V Rated0.045 at VGS = - 2.5 V - 6 Ultra-Low On-Resistance- 8 14 nC0.056 at VGS = - 1.8 V - 6APPLICATIONS0.077 at VGS = - 1.5 V - 6

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History: TMB120N08A | NCE20P10J | SML50C14 | NCEP045N10 | NCE2301B | IRFB4127PBF | NCEP10N12D

 

 
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