SI5499DC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI5499DC  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 8 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: 1206-8

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SI5499DC datasheet

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SI5499DC

Si5499DC Vishay Siliconix P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Available 0.036 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET 1.5 V Rated 0.045 at VGS = - 2.5 V - 6 Ultra-Low On-Resistance - 8 14 nC 0.056 at VGS = - 1.8 V - 6 APPLICATIONS 0.077 at VGS = - 1.5 V - 6

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