Справочник MOSFET. SI5499DC

 

SI5499DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5499DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
 

 Аналог (замена) для SI5499DC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5499DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  vishay
 si5499dc.pdf pdf_icon

SI5499DC

Si5499DCVishay SiliconixP-Channel 1.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Available0.036 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET: 1.5 V Rated0.045 at VGS = - 2.5 V - 6 Ultra-Low On-Resistance- 8 14 nC0.056 at VGS = - 1.8 V - 6APPLICATIONS0.077 at VGS = - 1.5 V - 6

Другие MOSFET... SI5476DU , SI5479DU , SI5480DU , SI5481DU , SI5482DU , SI5484DU , SI5485DU , SI5486DU , IRF3710 , SI5504BDC , SI5513CDC , SI5515CDC , SI5517DU , SI5853 , SI5853CDC , SI5853DDC , SI5855CDC .

History: SSP1N60A

 

 
Back to Top

 


 
.