SI5499DC - аналоги и даташиты транзистора

 

SI5499DC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI5499DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8

 Аналог (замена) для SI5499DC

 

SI5499DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  vishay
 si5499dc.pdf pdf_icon

SI5499DC

Si5499DC Vishay Siliconix P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Available 0.036 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET 1.5 V Rated 0.045 at VGS = - 2.5 V - 6 Ultra-Low On-Resistance - 8 14 nC 0.056 at VGS = - 1.8 V - 6 APPLICATIONS 0.077 at VGS = - 1.5 V - 6

Другие MOSFET... SI5476DU , SI5479DU , SI5480DU , SI5481DU , SI5482DU , SI5484DU , SI5485DU , SI5486DU , AO3400 , SI5504BDC , SI5513CDC , SI5515CDC , SI5517DU , SI5853 , SI5853CDC , SI5853DDC , SI5855CDC .

History: SI4666DY | P5103EMA

 

 
Back to Top

 


 
.