SI5499DC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5499DC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: 1206-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5499DC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5499DC даташит

 ..1. Size:105K  vishay
 si5499dc.pdf pdf_icon

SI5499DC

Si5499DC Vishay Siliconix P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Available 0.036 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET 1.5 V Rated 0.045 at VGS = - 2.5 V - 6 Ultra-Low On-Resistance - 8 14 nC 0.056 at VGS = - 1.8 V - 6 APPLICATIONS 0.077 at VGS = - 1.5 V - 6

Другие IGBT... SI5476DU, SI5479DU, SI5480DU, SI5481DU, SI5482DU, SI5484DU, SI5485DU, SI5486DU, AO3400, SI5504BDC, SI5513CDC, SI5515CDC, SI5517DU, SI5853, SI5853CDC, SI5853DDC, SI5855CDC