Справочник MOSFET. SI5499DC

 

SI5499DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5499DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5499DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  vishay
 si5499dc.pdf pdf_icon

SI5499DC

Si5499DCVishay SiliconixP-Channel 1.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Available0.036 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET: 1.5 V Rated0.045 at VGS = - 2.5 V - 6 Ultra-Low On-Resistance- 8 14 nC0.056 at VGS = - 1.8 V - 6APPLICATIONS0.077 at VGS = - 1.5 V - 6

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KI2323 | TPC6006-H | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | DAMI220N150

 

 
Back to Top

 


 
.